บทความฉบับนี้ได้นำเสนอวิธี การหาค่าแบบจำลองพารามิเตอร์ SPICE Level 3 ของเอ็นมอสเฟตจาก Test Element Group(TEG) ซึ่งประกอบด้วย มอสเฟตขนาดใหญ่ มอสเฟตที่มีขนาดของความกว้างและความยาวของช่องทางเดินกระแสสั้น และมอสที่มีการเรียงลำดับของความกว้างและความยาวของช่องทางเดินกระแส ในตอนท้ายจะเป็นการเปรียบเทียบคุณสมบัติทางไฟฟ้าของมอสเฟตที่ได้จากการจำลองโดยใช้แบบจำลองพารามิเตอร์ SPICE กับคุณสมบัติทางไฟฟ้า ของมอสเฟตที่ได้การวัด ของ มอสเฟตที่ขนาดต่างๆ พบว่า มีค่าเคลื่อนน้อยมากในกรณีของมอสเฟตที่มีขนาดใหญ่และจะมีค่าเพิ่มขึ้นในกรณีของมอสเฟตที่มีความกว้างและความยาวช่องทางเดินกระแสสั้น

This paper presents the parameter extraction strategy for SPICE level 3 of NMOSFET from Test Element Group which consisted of Big_MOS, Short & Narrow_MOS and L-array & W-array_MOS . Finally, the electrical characteristics of MOSFET from SPICE simulation and measurement were compared. The results shown that, there have almost no error in a big MOS but there have an error in short and narrow MOSFET.