ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Potential and pitfalls of the diode characterization technique for ULSI devices analysis

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Potential and pitfalls of the diode characterization technique for ULSI devices analysis
นักวิจัย : Amporn Poyai , E. Simoen , C. Claeys , อัมพร โพธิ์ใย
คำค้น : Diode , Electrical and electronic engineering , Electrical engineering , Engineering and technology , Generation lifetime , Recombination lifetime , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ , สาขาวิทยาศาสตร์กายภาพและคณิตศาสตร์ , ไดโอด
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2546
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/7573
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

A modified procedure to derive the carrier generation (tg) and recombination (tr) lifetime adopted for silicided shallow junctions has been developed. It is proposed to determine tr and tg simultaneously from the forward recombination current. Alternatively, tg can be derived from the generation current by accounting for the electric field enhancement factor (G) and the area generation width (WgA). An empirical approach was developed to derive G and WgA. Overall, a good agreement between tg derived from the forward recombination current and the reverse generation current was observed for the different cases studied. When the Schottky effect (i.e. due to a local penetration of the silicide) is present, no reliable t r and tg can be extracted from the diode current. Instead, one can still derive the Schottky contact area from the forward current and the local electric field from the reverse current, using the proposed methods.

บรรณานุกรม :
Amporn Poyai , E. Simoen , C. Claeys , อัมพร โพธิ์ใย . (2546). Potential and pitfalls of the diode characterization technique for ULSI devices analysis.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Amporn Poyai , E. Simoen , C. Claeys , อัมพร โพธิ์ใย . 2546. "Potential and pitfalls of the diode characterization technique for ULSI devices analysis".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Amporn Poyai , E. Simoen , C. Claeys , อัมพร โพธิ์ใย . "Potential and pitfalls of the diode characterization technique for ULSI devices analysis."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2546. Print.
Amporn Poyai , E. Simoen , C. Claeys , อัมพร โพธิ์ใย . Potential and pitfalls of the diode characterization technique for ULSI devices analysis. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2546.