ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs : รายงานผลการวิจัย

หน่วยงาน จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs : รายงานผลการวิจัย
นักวิจัย : ชุมพล อันตรเสน , สมชัย รัตนธรรมพันธ์ , ศุภโชค ไทยน้อย
คำค้น : ไดโอด , สารกึ่งตัวนำ , โฟโตไดโอด
หน่วยงาน : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
ผู้ร่วมงาน : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์ , จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์ , จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย. คณะวิศวกรรมศาสตร์
ปีพิมพ์ : 2543
อ้างอิง : http://cuir.car.chula.ac.th/handle/123456789/8202
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

ในงานวิจัยชิ้นนี้ได้เสนอวิธีการผลิตโฟโตไดโอดหัวต่อต่างชนิดของ GaAIAs/GaAs โดยเทคโนโลยีเอพิแทกซีในสถานะของเหลว ทำการสร้างชั้นรับแสงชนิดที่มีช่องว่างแถบพลังงานคงที่ที่ 1.674 eV ของ Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As และมีค่าคงที่ที่ 1.942 eV ของ Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As และชนิดที่มีช่องว่างแถบพลังงานแบบลาดจาก 1.942 eV ถึง 1.55 eV ของ Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As/Ga[subscript 0.7]Al[subscript 0.3]As/Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As/Ga[subscript 0.9]Al[subscript 0.1]As ชั้นรับแสงที่ทำด้วย Ga[subscript 0.8]Al[subscript 0.2]As และ Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As จะไม่ดูดกลืนแสงที่มีพลังงานต่ำกว่าช่องว่างแถบพลังงานของมัน ทำให้มีผลตอบสนองทางแสงอยู่ในช่วง ~725 nm ถึง ~875 nm และ ~655 nm ถึง ~875 nm ตามลำดับ ในขณะที่โฟโตไดโอดที่มีช่องว่างแถบพลังงานของชั้นรับแสงแบบลาด แม้จะเกิดการดูดกลืนแสงในชั้นรับแสงจาก ~1.924 eV ถึง ~1.55 eV แต่กลับมีผลตอบสนองทางแสงจาก ~650 nm ถึง ~870 nm คล้ายคลึงกับผลตอบสนองทางแสงของโฟโตไดโอดที่มีชั้นรับแสงเป็น Ga[subscript 0.6]Al[subscript 0.4]As เมื่อเปรียบเทียบกับผลการคำนวณทางทฤษฎีสามารถสรุปได้ว่าโฟโตไดโอดที่ชั้นรับแสงมีช่องว่างแถบพลังงานแบบลาด มีสนามไฟฟ้าในชั้นรับแสงที่ช่วยพัดพาพาหะที่เกิดในช่วง ~650 nm ถึง ~800 nm ให้ข้ามหัวต่อได้ ดังนั้นจึงเกิดกระแสทางแสงขึ้นในช่วงความยาวคลื่นนี้

บรรณานุกรม :
ชุมพล อันตรเสน , สมชัย รัตนธรรมพันธ์ , ศุภโชค ไทยน้อย . (2543). ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs : รายงานผลการวิจัย.
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
ชุมพล อันตรเสน , สมชัย รัตนธรรมพันธ์ , ศุภโชค ไทยน้อย . 2543. "ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs : รายงานผลการวิจัย".
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย.
ชุมพล อันตรเสน , สมชัย รัตนธรรมพันธ์ , ศุภโชค ไทยน้อย . "ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs : รายงานผลการวิจัย."
    กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย, 2543. Print.
ชุมพล อันตรเสน , สมชัย รัตนธรรมพันธ์ , ศุภโชค ไทยน้อย . ไดโอดรับแสงชนิด Graded Band Gap GaAlAs/GaAs : รายงานผลการวิจัย. กรุงเทพมหานคร : จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย; 2543.