ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Fabrication Of Submicron HEMT Mushroom Gate Structure Using Electron Beam Lithography And Its Characterization

หน่วยงาน Universiti Sains Malaysia, Malaysia

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Fabrication Of Submicron HEMT Mushroom Gate Structure Using Electron Beam Lithography And Its Characterization
นักวิจัย : Yusof, Ashaari
คำค้น : TK7800-8360 Electronics
หน่วยงาน : Universiti Sains Malaysia, Malaysia
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2551
อ้างอิง : http://eprints.usm.my/10407/1/FABRICATION_OF_SUBMICRON_HEMT_MUSHROOM_GATE.pdf , Yusof, Ashaari (2008) Fabrication Of Submicron HEMT Mushroom Gate Structure Using Electron Beam Lithography And Its Characterization. Masters thesis, Universiti Sains Malaysia.
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : http://eprints.usm.my/10407/
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

Dalam kajian ini, struktur get HEMT dengan gatelength bersaiz 200 nm dan berprofil cendawan telah direkabentuk, difabrikasi dan dicirikan. In this research study, 200 nm gatelength HEMT gate structures with mushroom-shaped profile have been designed, fabricated and characterized.

บรรณานุกรม :
Yusof, Ashaari . (2551). Fabrication Of Submicron HEMT Mushroom Gate Structure Using Electron Beam Lithography And Its Characterization.
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia.
Yusof, Ashaari . 2551. "Fabrication Of Submicron HEMT Mushroom Gate Structure Using Electron Beam Lithography And Its Characterization".
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia.
Yusof, Ashaari . "Fabrication Of Submicron HEMT Mushroom Gate Structure Using Electron Beam Lithography And Its Characterization."
    กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia, 2551. Print.
Yusof, Ashaari . Fabrication Of Submicron HEMT Mushroom Gate Structure Using Electron Beam Lithography And Its Characterization. กรุงเทพมหานคร : Universiti Sains Malaysia, Malaysia; 2551.