ridm@nrct.go.th   ระบบคลังข้อมูลงานวิจัยไทย   รายการโปรดที่คุณเลือกไว้

Channel Engineering for Submicron N-Channel MOSFET Based on TCAD Simulation

หน่วยงาน สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ

รายละเอียด

ชื่อเรื่อง : Channel Engineering for Submicron N-Channel MOSFET Based on TCAD Simulation
นักวิจัย : Rangsan Muanghlua , Naratip Vittayakorn , Anucha Ruangphanit , นราธิป วิทยากร , อนุชา เรืองพานิช
คำค้น : CMOS , DIBL , MOSFET , ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ
หน่วยงาน : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ
ผู้ร่วมงาน : -
ปีพิมพ์ : 2551
อ้างอิง : http://www.nstda.or.th/thairesearch/node/16852
ที่มา : -
ความเชี่ยวชาญ : -
ความสัมพันธ์ : -
ขอบเขตของเนื้อหา : -
บทคัดย่อ/คำอธิบาย :

his paper discusses the optimization of 0.8 micron physical gate N-channel MOSFET devices focusing on channel engineering. Based on the semiconductor process simulation sentaurus process and the device simulation sentaurus devices, In this study, we characterize the effect of the channel modulation by engineering doping concentration profile, gate oxide thickness, and determine how to enhance the performance of N-channel MOSFET. Our simulation show that, the effect of channel engineering on the basis electrical characteristics such as threshold voltage in linear and saturation region, subthreshold swing, off state drain leakage current, saturation drain current and also the Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) of N-channel MOSFET in 0.8 ìm CMOS technology fabrication of Thai Micro Electronics Center (TMEC). Finally, the effect of channel engineering of N-channel MOSFET is discussed. /This paper discusses the optimization of 0.8 micron physical gate N-channel MOSFET devices focusing on channel engineering. Based on the semiconductor process simulation sentaurus process and the device simulation sentaurus devices, In this study, we characterize the effect of the channel modulation by engineering doping concentration profile, gate oxide thickness, and determine how to enhance the performance of N-channel MOSFET. Our simulation show that, the effect of channel engineering on the basis electrical characteristics such as threshold voltage in linear and saturation region, subthreshold swing, off state drain leakage current, saturation drain current and also the Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) of N-channel MOSFET in 0.8 ìm CMOS technology fabrication of Thai Micro Electronics Center (TMEC). Finally, the effect of channel engineering of N-channel MOSFET is discussed.

บรรณานุกรม :
Rangsan Muanghlua , Naratip Vittayakorn , Anucha Ruangphanit , นราธิป วิทยากร , อนุชา เรืองพานิช . (2551). Channel Engineering for Submicron N-Channel MOSFET Based on TCAD Simulation.
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Rangsan Muanghlua , Naratip Vittayakorn , Anucha Ruangphanit , นราธิป วิทยากร , อนุชา เรืองพานิช . 2551. "Channel Engineering for Submicron N-Channel MOSFET Based on TCAD Simulation".
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ.
Rangsan Muanghlua , Naratip Vittayakorn , Anucha Ruangphanit , นราธิป วิทยากร , อนุชา เรืองพานิช . "Channel Engineering for Submicron N-Channel MOSFET Based on TCAD Simulation."
    ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ, 2551. Print.
Rangsan Muanghlua , Naratip Vittayakorn , Anucha Ruangphanit , นราธิป วิทยากร , อนุชา เรืองพานิช . Channel Engineering for Submicron N-Channel MOSFET Based on TCAD Simulation. ปทุมธานี : สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ; 2551.